欧博亚洲注册:下一代非易失性存储器市场局限在5年内翻至26倍

宣城新闻网/2020-06-29/ 分类:宣城科技/阅读:

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,Yole Development阐明师Simone Bertolazzi分享了MRAM技能和市场的最新趋势。他指出,MRAM作为下一代非易失性存储器的替代者市场正在迅速扩大。到2024年,MRAM的市场局限将增加40倍。

就今朝存储市场而言,Bertolazzi暗示,2018年全球半导体存储器市场到达了1650亿美元,比上一年增长了26%。市场局限到达有史以来最高值。2019年的市场估量将大幅下降至约1100亿美元。

别的,半导体存储器市场一个显著特征是DRAM和NAND闪存是占比很高。2018年DRAM的份额为61%,NAND闪存的份额为36%。它们占总数的97%。只剩下3%。

余下的3%,NOR闪存占1.6%,非易失性SRAM和铁电存储器FRAM为0.6%,下一代非易失性存储器(新兴NVM)为0.2%,其他存储器(尺度EEPROM和掩模ROM等)为0.6%。

下一代非易失性存储器市场局限在5年内翻至26倍

如前所述,2018年半导体存储器市场中下一代非易失性存储器的份额很是小,为0.2%。纵然在2023年,存储的百分比仍将低于3%。固然市场局限自己将大幅增长,但DRAM和NAND闪存的寡头把持排场不会改变。

下一代非易失性存储器(Emerging NVM)的市场局限在2018年约为2.8亿美元。这将在2023年迅速扩大到72亿美元。年平均增长率极高,到达104%。快速增长是由3DXPoint内存代表的大容量内存(存储级内存)驱动。

下一代非易失性存储器(新兴NVM)市场预测(二)。图片来历/Yole

2020年后,嵌入式内存的比例将会增加。在2018年,嵌入式存储器的份额占总数的2%。到2020年,嵌入式存储器市场将快速增长,但这一比例将保持在2%稳定。这将在2023年增加到16%。换句话说,嵌入式存储器将在2020年后引领下一代非易失性存储器市场。

高价值和低存储容量是MRAM的弱点

会上,Bertolazzi重点先容了了MRAM技能。对比其他存储器技能,如:DRAM,NAND闪存,NOR闪存,PCM(3D XPoint存储器)和ReRAM,它又有什么出格之处呢?

半导体存储器产物技能较量(一)(如:价值,内存密度,重写次数和速度)。图片来历/Yole

与2018年的单个存储器产物对比,MRAM在速度和重写次数方面具有优势,但价值(每个存储容量)和存储容量较差。在六种存储器技能中,价值(每个存储容量)是第二高的,存储容量是第二低的。

但Bertolazzi预测,MRAM的弱点将在将来五年内大幅缓解。DRAM存储容量(每个芯片)仅从16Gbit增加到32Gbit。这是因为小型化明显减缓。停止2018年的出产技能是15nm一代,到2024年将保持11nm一代。

对比之下,MRAM仍有小型化的空间。停止2018年,制造技能是40nm一代,而在2024年,这将一下子淘汰到16nm。存储容量估量将从1Gbit增加到8Gbit。

在嵌入式存储器中,MRAM的优势跟着小型化而扩大

MRAM不只可以扩展为单个存储器,还可以扩展为嵌入式存储器(嵌入在与微节制器和SoC等逻辑沟通的硅芯片中的存储器)。与其他存储器技能(闪存/DRAM/SRAM/PCM/ReRAM)对比,作为嵌入式存储器的特性具有很多利益。

出格是,由于嵌入式闪存(eFlash)正在到达小型化的极限,因此嵌入式MRAM作为第一替代产物受到存眷。另外,由于SRAM的小型化速度正在放缓而且硅的面积很大,因此MRAM很大概在下一个应用规模将SRAM替换为低速事情存储器。未来,人们期望最后一级缓存(LL Cache)将代替高速SRAM和嵌入式DRAM。

所有领先的硅代工场都在提供嵌入式MRAM宏,而主要的硅代工场正在相助开拓单个的小型化MRAM。另外,主要制造设备供给商已经开拓出MRAM薄膜出产设备和批量出产蚀刻设备。

通过这些努力流动,Yole Development估量MRAM的市场局限将在将来迅速扩大。2018年至2024年间,市场局限将以年均85%的速度增长,到2024年将到达17.8亿美元。与2018年对比,它将增加40倍。

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